← All posts tagged SSD


Самые клёвые по выживаемости на 200-240ГБ:

Intel S3710 — 10 WPD, 3.6 Петабайта (запись 300МБ/с, конденсатор)
Intel S3700 — 10 WPD, 3.6 Петабайта (конденсатор)
Micron P410M — 9.6 WPD, 3.5 Петабайта (конденсатор)
Micron P400M — 9.6 WPD, 3.5 Петабайта (конденсатор)
OCZ Interpid 3800 — 4 WPD (защита питания, eMLC, увеличенный раздел резервных блоков)
Intel S3610 — 3 WPD, 1.1 Петабайта (1024МБ буфер, конденсаторы для полной защиты, 230МБ/сек запись)
Micron M500DC — 2.28 WPD, 1 Петабайт (большие конденсаторы)
Micron M510DC — 2.1 WPD, 920 ТБ (большие конденсаторы)
Samsung SM843T — 2 WPD, 876 ТБ, линейно растёт (запись 370МБ/с). Танталовый конденсатор. Есть брендированные под HP vk0480GDPVT.
OCZ Interpid 3700 — 1 WPD (защита питания, eMLC)
OCZ Interpid 3600 — 1 WPD (защита питания, MLC, увеличенный раздел резервных блоков)
OCZ Deneva 2 R — 0.7 WPD (реально, официально до 38ПБ, НЕТ ЗАЩИТЫ ПИТАНИЯ, eMLC, повышенный резервный раздел, контроллер SandForce, гарантия 3 года)
OCZ Saber 1000 — 0.4 WPD (MLC, частичная защита питания)
Samsung 850 Pro — 0.32 WPD, 150 ТБ (буфер 512МБ-1ГБ)
Intel S3500 — 0.32 WPD, 140ТБ (512МБ буфер, есть конденсатор для защиты таблицы)
Samsung PM853T — 0.3 WPD, 131 TB, линейно увеличивается от ёмкости. (танталовый конденсатор для полной защиты)
OCZ Vector 180 — 0.21 WPD, 91 TB (512МБ буфер, есть конденсатор для защиты таблицы). Память Toshiba.
Intel 730 — 0.21 WPD, 91 TB
OCZ Deneva 2 C — 0.194 WPD, 85 ТБ (НЕТ ЗАЩИТЫ ПИТАНИЯ)
Samsung 850 EVO — 0.164 WPD, 75 ТБ
Micron M500 — 0.164 WPD, 72 TB (последовательно 500 ТБ, частичная защита керамическими кондерами)


Also RAM latency is some 40-60 ns while even the fastest SSD is 150 µs.
The bandwidth is 500MB/s sequentially but random only some 30-50 MB/s.
DDR3 1600 is 20,000 GB/s and that with each cell addressable. DRAM is inherently Random it needs no fancy controller to be randomly and quickly adressable like NAND flash.
The controller needs loads of power and the NAND can only be written to for a couple thousand times. NAND would be dead in no time with working RAM workload.

What an SSD is useful for is that you don't have to care as much about swapped data. If you have to little RAM and the OS swaps. Getting the stuff back into RAM quickly works much faster with SSDs. Having too little RAM with an SSD might not be felt unless you are very picky.

PRAM is what might be the successor of NAND flash and also much faster in writing. That could make for some sort of RAM replacement especially in slower mobile devices.
MRAM is a non volatile possible successor of current DRAM. It doesn't loose its charge and is faster(latency) as it can even compete with SRAM the stuff used in the CPU L2/3 Caches.

NAND flash also doesn't have a bright future. All estimations suggest that it is going to get slower rather than faster in latency and the nm shrinks only go so far. Nobody know for sure how long the shrinking will work. 10, 8, 6.5 nm?