mv Rename mmv Делаем даты более понятными
perl-rename 's/(\d{4})(\d{2})(\d{2})(.)/$1-$2-$3$4/'

Убираем пробелы из имён
perl-rename 's/(\s{1,})//' *

14 ласты fins сноркинг сноркелинг Ласты большого размера с цельной пяткой:
* Tilos Saber F7012 (13-14, 47-48.5)
tilos.mwrc.net
* Picasso Speed 46-48
С регулируемой пяткой:
* Tilos Commercial Diving Fins F8100 (2XL, 47-49)

dd Дописывает в конец
dd if=file1 of=file2 bs=1G oflag=append conv=notrunc

conv=notrunc означает "не усекать файл file2 перед операцией"

sharp ffmpeg Повысить чёткость после съёмки цифровым фотоаппаратом:

ffmpeg -i source.MOV -vf unsharp=luma_msize_x=5:luma_msize_y=5:luma_amount=2 sharp.MOV

Тестировал на разрешении 1280x720p. Фотоаппарат Canon G12.

Массовое улучшение чёткости:

ls -1 | xargs -I % ffmpeg -i % -vf unsharp=luma_msize_x=5:luma_msize_y=5:luma_amount=2 %_clear.MOV;
mmv '*.MOV_clear.MOV' '#1.MOV'

Отсюда взял cloudacm.com

ffmpeg concat объединить ffmpeg -f concat -i mylist.txt -c copy MVI_5749-54.MOV

--- Содержимое mylist.txt ---
file 'имя_файла1'
file 'можно_имя_файла2_с_полным_путём'
--- Конец ---

Взято отсюда: stackoverflow.com

upgrade Android sdxc MicroSDXC My example: old FAT32 32GB, new card — 128GB EXFAT.
First partition — /dev/sdg1
Old uuid — "9016-4EF8"

On new MicroSDXC FAT32 run this one-liner:
echo -n "90164EF8" |rev|dd conv=swab 2>/dev/null|xxd -r -p|dd conv=notrunc of=/dev/sdg1 bs=1 count=4 seek=67
echo -n "90164EF8" |rev|dd conv=swab 2>/dev/null|xxd -r -p|dd conv=notrunc of=/dev/sdg1 bs=1 count=4 seek=3139

On new MicroSDXC EXFAT run this one-liner:
echo -n "90164EF8" |rev|dd conv=swab 2>/dev/null|xxd -r -p|dd conv=notrunc of=/dev/sdg1 bs=1 count=4 seek=100
echo -n "90164EF8" |rev|dd conv=swab 2>/dev/null|xxd -r -p|dd conv=notrunc of=/dev/sdg1 bs=1 count=4 seek=6244

Correcting checksum on EXFAT:

exfatlabel /dev/sdi1
ERROR: invalid VBR checksum 0x266c55bf (expected 0x266f26bf).

awk 'BEGIN{for(c=0;c<128;c++) printf "266f26bf"}'|rev|dd conv=swab 2>/dev/null|xxd -r -p|dd conv=notrunc of=/dev/sdi1 bs=1 count=512 seek=5632
awk 'BEGIN{for(c=0;c<128;c++) printf "266f26bf"}'|rev|dd conv=swab 2>/dev/null|xxd -r -p|dd conv=notrunc of=/dev/sdi1 bs=1 count=512 seek=11776

SAS supermicro cable compability supermicro.com

Flash image USB mount dd mount -o ro,loop,offset=32256 image.dd /mnt/flash

panel 5.25 CASE scythe kama scythe-eu.com overclockers.com world.taobao.com

Intel laptop notebook tablet Lenovo X201t (Up to 8GB max 1066 MHz DDR3, 2 DIMM)
Display 12.1" WXGA TFT (1280x800, 1440×900)

i7-620LM (25 Вт) — 2358 (3DMark06)
i5-520M (35 Вт) — 2729 (3DMark06)
i5-540M (35 Вт) — 2826 (3DMark06)

X220t (Up to 8GB max 1333MHz DDR3, 2 DIMM)
Display 12.5-inch HD (1366 x 768) Display (IPS)

i5-2520M (35 Вт) — 3542
i5-2540M (35 Вт) — 3682 (на таблетки не ставился)
i7-2620M (35 Вт) — 3827
i7-2640M (35 Вт) — 3927

X230t (Up to 16GB 1600 MHz DDR3, 2 DIMM)
Display 12.5-inch HD (1366 x 768) Display (IPS)

i5-3210M (35 Вт) — 3553
i5-3320M (35 Вт) — 3767
i5-3360M (35 Вт) — 3995
i7-3520M (35 Вт) — 4134

Для сравнения
Core 2 Duo T7600 (HP TC4400) — (34 Вт) — 2004

notebook-center.ru

BBU lsi Learn Cycle:
This can take up to 12 hours to complete.

The calibration (Autolearn mode) is a process whereby the controller records the battery discharge curve in order to know the battery autonomy, in addition to maximum and minimum voltages. It is split into three (3) steps:

Step 1: Begin calibration. The controller charges the BBU to maximum capacity.
Step 2: The controller discharges the BBU.
Step 3: The controller recharges the BBU. When maximum capacity is reached, the process is finished.

Note: If either Step 2 or Step 3 is interrupted, the learning process stops and will not restart.

It is not recommended to disable the "Learn Cycle" of the BBU as it will shorten the service life of the battery to one-third (approximately eight (8) months) of its original useful life of two (2) years.

www-947.ibm.com

lsi megacli megaraid Увидеть все свойства всех адаптеров:
./megacli64 -AdpAllInfo -aAll

мысли Каждый день я — уже не я. Моя личность собирается заново.
Поэтому я не обязан доделывать проекты моих прежних я.
Тем более, если они расходятся с моими нынешними убеждениями.

IBM lsi M5015 M5014 In my case the M5014 is controller 0 (the only one) in the system.
You can speed up the initialisation in 3 simple steps:

MegaOEM -AdpSettings Write -f MyM5014.ini -a0

...reads MFC_DEFAULT structure and creates an INI file. Inside the INI search for "delayPOST" and change the value. Possible coded values: 0 to 7, which gives a value of 0, 15, 30, 45, 60, 75, 90, 105 seconds.

MegaOEM -AdpSettings Read -f MyM5014.ini -a0

...reads INI file, forms MFC_DEFAULT structure and sends it to the FW.

Источник: forums.servethehome.com

аккумулятор greenpeace батарейки вторсырьё greenpeace.org

аккумулятор Li-Ion Перед тем как положить аккамулятор на хранение желательно его полностью зарядить.

Если зарядить аккамулятор в холодном состоянии на 100%, а потом начать использовать в девайсе, который греется, то его заряд может подскочить более 100%. Это очень вредно.

аккумулятор Li-Ion Срок годности 2-3 года вне зависимости от того используется или нет. Уже через два года аккумулятор теряет большую часть своей ёмкости. Как факт, если Вы не используете батарею, то лучше поместить ее в холодильник, но НЕ в морозильник — это тоже выведет ее из строя. Вне срока годности характеристики сильно падают.

Менее чем за 3 часа батарею нормально не зарядить (Sony).

Ионно-литиевые батареи не выдерживают перегрева. Один из самых быстрых способов испортить ионно-литиевую батарею – это оставить ее в горячей машине даже на короткий промежуток времени.

Избегайте полной разрядки батареи, насколько это возможно. В то время как другие типы аккумуляторных батарей, такие как никель-кадмиевые, нуждаются в полной разрядке, такое же обращение с ионно-литиевые батареями испортит их. Насколько это возможно, постарайтесь перезаряжать Вашу батарею при разрядке около 20-40%. Девайс сам подскажет, когда нужно зарядить батарею. Перезаряжайте чаще.

IBM RAID adapter Controller lsi *NEC

9260-8i PCIe 2.0, максимальное последовательное чтение 1300МБ/с.
Нужен аппаратный ключ для разблокировки CacheCade, FastPath.

9260-8i, 256МБ (IBM ServeRAID M5014). HW-ключ для RAID6.
9260-8i, 512МБ (IBM ServeRAID M5015). HW-ключ для RAID6.
9260CV-8i CacheVault on-board (кондёр отдельно)

9261-8i, 512МБ, soft CacheCade

9750-8i PCIe 2.0, 512МБ DDR3, последовательное чтение 2500МБ/с. (Бывший 3ware)

==== Начинаются 2-х ядерные процессоры ====

9265-8i PCIe 2.0, 1ГБ DDR3, максимальное последовательное чтение 3500МБ/с. Значительно обгоняет Adaptec 6805
Аппаратный CacheCade (включает FastPath)

9265CV-8i CacheVault on-board (кондёр отдельно)
9265-8i (IBM ServeRAID M5016 с 1ГБ кеша, который и есть ключ Raid 5,6)

9266-8i PCIe 2.0, 1ГБ DDR3, CacheVault, software CacheCade.

9267-8i PCIe 2.0, 512МБ (1ГБ) DDR3. Урезанный контроллер. Для raid-5,50,6,60 нужен ключ.
NEC 8103-149 без ключа
NEC 8103-150 с ключом

==== PCIe 3.0 ====

9270-8i PCIe 3.0, 1ГБ DDR3, CacheVault, Raid 6.
IBM ServeRAID M5110 512МБ (1ГБ) DDR3. F-o-D (Raid 5-6, CacheCade, FastPath)

9271-8i PCIe 3.0, 1ГБ DDR3, CacheVault. В 1.5 раза лучше случайный доступ работает.
9271CV-8i CacheVault on-board (кондёр отдельно)

==== 12 Gbit SAS, CPU SAS3108 ====

9361-8i 12Gbit, PCIe 3.0, 1ГБ DDR3, CacheVault.
IBM ServeRAID M5210

====

P.S. Контроллеры IBM
lenovopress.com

P.P.S. Брендированные LSI других вендоров
forums.servethehome.com

Intel Samsung SSD micron OCZ Самые клёвые по выживаемости на 200-240ГБ:

Intel S3710 — 10 WPD, 3.6 Петабайта (запись 300МБ/с, конденсатор)
Intel S3700 — 10 WPD, 3.6 Петабайта (конденсатор)
Micron P410M — 9.6 WPD, 3.5 Петабайта (конденсатор)
Micron P400M — 9.6 WPD, 3.5 Петабайта (конденсатор)
OCZ Interpid 3800 — 4 WPD (защита питания, eMLC, увеличенный раздел резервных блоков)
Intel S3610 — 3 WPD, 1.1 Петабайта (1024МБ буфер, конденсаторы для полной защиты, 230МБ/сек запись)
Micron M500DC — 2.28 WPD, 1 Петабайт (большие конденсаторы)
Micron M510DC — 2.1 WPD, 920 ТБ (большие конденсаторы)
Samsung SM843T — 2 WPD, 876 ТБ, линейно растёт (запись 370МБ/с). Танталовый конденсатор. Есть брендированные под HP vk0480GDPVT.
OCZ Interpid 3700 — 1 WPD (защита питания, eMLC)
OCZ Interpid 3600 — 1 WPD (защита питания, MLC, увеличенный раздел резервных блоков)
OCZ Deneva 2 R — 0.7 WPD (реально, официально до 38ПБ, НЕТ ЗАЩИТЫ ПИТАНИЯ, eMLC, повышенный резервный раздел, контроллер SandForce, гарантия 3 года)
OCZ Saber 1000 — 0.4 WPD (MLC, частичная защита питания)
Samsung 850 Pro — 0.32 WPD, 150 ТБ (буфер 512МБ-1ГБ)
Intel S3500 — 0.32 WPD, 140ТБ (512МБ буфер, есть конденсатор для защиты таблицы)
Samsung PM853T — 0.3 WPD, 131 TB, линейно увеличивается от ёмкости. (танталовый конденсатор для полной защиты)
OCZ Vector 180 — 0.21 WPD, 91 TB (512МБ буфер, есть конденсатор для защиты таблицы). Память Toshiba.
Intel 730 — 0.21 WPD, 91 TB
OCZ Deneva 2 C — 0.194 WPD, 85 ТБ (НЕТ ЗАЩИТЫ ПИТАНИЯ)
Samsung 850 EVO — 0.164 WPD, 75 ТБ
Micron M500 — 0.164 WPD, 72 TB (последовательно 500 ТБ, частичная защита керамическими кондерами)

sata SATA3 SATA2 Для SSD Samsung 840 Pro:

SATA2 посл. чтение — 282 МБ/с
SATA2 посл. запись — 270 МБ/с

SATA3 посл. чтение — 548 МБ/с
SATA3 посл. запись — 508 МБ/с

При случайном доступе разницей можно пренебречь.
thg.ru